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簡要描述：【無錫冠亞】是一家專注提供高低溫控溫解決方案的設備廠家，公司主要生產高低溫沖擊氣流儀（熱流儀）、chiller、超低溫制冷機、高低溫測試機機、高低溫沖擊箱等各種為通訊、光模塊、集成電路芯片、航空航天、天文探測、電池包氫能源等領域的可靠性測試提供整套溫度環(huán)境解決方案。晶圓制造過程控溫Chiller用于封裝溫度控制
產品型號：FLTZ-003廠商性質：生產廠家更新時間：2025-02-26訪 問 量：659| 品牌 | 冠亞恒溫 | 冷卻方式 | 水冷式 |
|---|---|---|---|
| 價格區(qū)間 | 10萬-50萬 | 產地類別 | 國產 |
| 儀器種類 | 一體式 | 應用領域 | 化工,電子/電池,航空航天,汽車及零部件,電氣 |
晶圓制造過程控溫Chiller用于封裝溫度控制
晶圓制造過程控溫Chiller用于封裝溫度控制
晶圓制造過程控溫Chillerr在晶圓制造中承擔關鍵溫控功能，其應用覆蓋光刻、刻蝕、薄膜沉積等核心工藝環(huán)節(jié)。以下是具體應用案例與技術細節(jié)分析：
一、光刻工藝溫度控制
1.光刻膠恒溫管理：晶圓廠采用Chiller為ArF光刻機提供冷卻，通過維持光刻膠溫度在23±0.1℃，使光源的曝光精度提升。
2.鏡頭熱變形補償：在EUV光刻機中，晶圓制造過程控溫Chiller通過雙循環(huán)系統(tǒng)（-30℃冷水+40℃熱油）同步冷卻光學模塊，將鏡頭熱膨脹系數(shù)控制，實現(xiàn)節(jié)點套刻精度提升。
二、刻蝕工藝動態(tài)控溫
1.等離子體刻蝕溫度優(yōu)化：某存儲芯片廠在3D刻蝕中，使用Chiller將反應腔溫度穩(wěn)定在-20℃至80℃可調范圍，使刻蝕均勻性提升。
2.濕法刻蝕液溫控：在硅槽刻蝕工藝中，晶圓制造過程控溫Chiller維持氫氟酸混合液溫度在25±0.3℃，刻蝕速率標準差下降。
三、薄膜沉積工藝溫控
1.ALD原子層沉積：芯片制造中，晶圓制造過程控溫Chiller為ALD設備提供40℃恒溫環(huán)境，使高介電薄膜厚度偏差更小。
2.CVD反應腔冷卻：在SiN薄膜沉積中，采用雙級壓縮Chiller，將反應腔壁溫控制在80±1℃，薄膜應力均勻性提升?！?/span>
四、清洗與離子注入工藝
1.超純水冷卻系統(tǒng)：在晶圓單片清洗機中，晶圓制造過程控溫Chiller維持超純水溫度在22±0.2℃，減少DI水表面張力波動，使顆粒殘留降至。
2.離子注入機靶材冷卻：采用-40℃低溫Chiller冷卻硅靶材，使硼離子注入深度偏差優(yōu)化。
晶圓制造過程控溫Chiller的技術迭代正推動晶圓制造向更好的方向發(fā)展，成為半導體設備國產化進程中的突破點之一。
